FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
Apple chce przejąć część Intela
23 lipca 2019, 09:26Apple prowadzi zaawansowane rozmowy w celu odkupienia od Intela jego wydziału zajmującego się produkcję układów scalonych do smartfonów, poinformowały anonimowe źródła na łamach The Wall Street Journal. Jeśli transakcja dojdzie do skutku Apple zyska kontrolę nad rozwojem i produkcją krytycznych elementów iPhone'a.
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Krótki impuls wywołuje lawinę ekscytonów
23 grudnia 2011, 07:00Artykuł, opublikowany w Nature Communications przez Hidekiego Hiroriego, zapowiada przełom w budowie urządzeń wykorzystujących tranzystory.
« poprzednia strona następna strona » … 3 4 5 6 7 8 9
